1.負(fù)責(zé)硅基半導(dǎo)體探測(cè)器(光電X射線探測(cè)器Si-PIN/SDD/PD/APD等)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、物理建模及方案論證。
2.合理利用仿真軟件等工具完成電學(xué)/光學(xué)仿真,優(yōu)化暗電流、噪聲等核心參數(shù)。
3.制定器件性能指標(biāo),輸出設(shè)計(jì)方案及規(guī)格書。
4.完成器件電學(xué)、光學(xué)及可靠性測(cè)試標(biāo)定。
5.開展芯片失效分析,推動(dòng)器件迭代,輸出測(cè)試及技術(shù)總結(jié)報(bào)告。
6.跟蹤探測(cè)器前沿技術(shù),開展預(yù)研、專利挖掘及科研項(xiàng)目申報(bào)支撐。
1.博士學(xué)歷,微電子、半導(dǎo)體、物理學(xué)等探測(cè)器相關(guān)專業(yè)。
2.精通探測(cè)器原理。
3.熟練使用仿真工具,或具備探測(cè)器測(cè)試、失效分析能力。
4.了解半導(dǎo)體工藝,有探測(cè)器設(shè)計(jì)或相關(guān)背景者優(yōu)先。
5.嚴(yán)謹(jǐn)負(fù)責(zé),具備良好團(tuán)隊(duì)協(xié)作及跨部門溝通能力。
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